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寧波弘信新材料科技有限公司

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半導(dǎo)體級SiC合成原料6N高純度石墨粉 西格里V2298

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半導(dǎo)體級SiC合成原料6N超高純度石墨粉 西格里V2298 耐高溫導(dǎo)電
 
產(chǎn)品概述 
西格里6N超高純度石墨粉是專為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)單晶生長研發(fā)的核心原料,純度達(dá)99.9999%(6N級),嚴(yán)格符合半導(dǎo)體行業(yè)對痕量雜質(zhì)(硼、鋁、釩等)的ppm級控制要求。本產(chǎn)品采用德國西格里集團(tuán)專利提純工藝,結(jié)合高溫?zé)峄瘜W(xué)處理技術(shù),確保納米級顆粒均勻性(D50≤1μm),適用于物理氣相傳輸法(PVT)生長高質(zhì)量SiC晶體,滿足新能源汽車、5G通信、光伏等高端領(lǐng)域需求[[3]。
核心特性 
1. 超高純度與穩(wěn)定性 
   通過2700℃高溫提純及多級化學(xué)純化工藝,金屬雜質(zhì)含量低于0.1ppm,氮濃度≤5ppb,有效避免SiC晶體電學(xué)性能劣化,為制備半絕緣襯底提供可靠保障[[7]。 
2. 耐極端高溫環(huán)境 
   石墨粉在2000~2500℃的SiC晶體生長爐中表現(xiàn)優(yōu)異,熱膨脹系數(shù)低至4.5×10??/℃,可長期耐受高溫熔融硅蒸汽環(huán)境,確保晶體生長過程穩(wěn)定性[[6]。 
3. 優(yōu)異導(dǎo)電與熱導(dǎo)性能 
   電阻率≤15μΩ·m,熱導(dǎo)率高達(dá)120W/(m·K),適配高頻功率器件對材料導(dǎo)電和散熱需求,廣泛應(yīng)用于SiC外延片、MOSFET及IGBT芯片制造[[5]。 
應(yīng)用場景 
- SiC單晶襯底合成:作為PVT法核心碳源,與高純硅粉反應(yīng)生成SiC微粉,用于4H-SiC導(dǎo)電型及半絕緣型晶圓生產(chǎn)[[4]。 
- 半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵部件:用于制造長晶爐石墨坩堝、加熱器等耐高溫組件,保障設(shè)備在極端工況下的使用壽命[[8]。 
工藝與質(zhì)量認(rèn)證 
本產(chǎn)品通過ISO 9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證,符合《碳化硅單晶用高純石墨粉》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(碳含量≥99.9996%),支持定制粒徑(800~15000目)及微量元素控制,滿足客戶差異化需求。 
“現(xiàn)貨直發(fā)/支持試樣”;針對科研客戶,可補充“提供XRD、GDMS全項檢測報告”等增值服務(wù)。 
公司名稱:寧波弘信新材料科技有限公司
營銷中心:上海市青浦區(qū)徐涇鎮(zhèn)滬青平公路2008號
生產(chǎn)基地:浙江省寧波市慈溪市濱海四路325號
24小時熱線:13636546116
網(wǎng)址:HTTP://WWW.hon-sin.com/
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