半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備
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產(chǎn)品品牌深圳力鈦科
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更新日期2025-05-12 09:48
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品牌： |
深圳力鈦科 |
所在地： |
廣東 |
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有效期至： |
長(zhǎng)期有效 |
電流： |
0--6000A |
力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件 (如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體 等)的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μQ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、nA級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試，如 輸入電容、輸 出電容 、 反向傳輸電容等。
被測(cè)對(duì)象及主要測(cè)試參數(shù)
被測(cè)對(duì)象 | 主要測(cè)試參數(shù) |
分立器件 | Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二極管 |
雙極 | Ic-Vc、二極管、Gummel 圖、擊穿、hfe、電容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容、QSCV等 |
內(nèi)存 | Vth、電容、耐久測(cè)試等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,電容 |
IGBT | Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),擊穿 |
太陽(yáng)能電池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特圖、DLCP 等。 |
納米器件 | 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 電流衰減、Id-Vds 電流衰減、二極管電流 |
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